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        東微半導體成立于2008年,注冊資本9432.6914萬元,是一家技術驅動型的半導體技術公司,在作為半導體核心技術的器件領域有深厚的技術積累,專注半導體器件技術創新,擁有多項半導體器件核心專利。 2013年下半年,東微半導體原創的半浮柵器件的技術論文在美國《科學》期刊上發表,標志著國內科學家在半導體核心技術方向獲得重大突破,新聞聯播、人民日報等媒體均進行了頭條重點報道,引起了國內外業界的高度關注。2016年東微半導體自主研發的新能源汽車直流大功率充電樁用核心芯片成功量產,打破國外廠商壟斷。目前,東微半導體已成為國內高性能功率半導體領域的佼佼者,在新能源領域替代進口半導體產品邁出了堅實一步,產品進入多個國際一線客戶,并受到了客戶的一致好評。2022年2月10日,東微半導體登陸上海證券交易所科創版上市,證券代碼:688261。

         

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        2022

        2022年2月10日,東微半導體登陸上??苿摪嫔鲜?,證券代碼:688261。

        2019

        東微半導體的創新型IGBT進入量產,性能達到國際一流水平。

        2018

        東微半導體的GreenMOS大功率超結MOSFET成為國內市場的知名品牌,在充電樁等高端應用中被眾多一線客戶采用。

        2016

        東微半導體發明的原創結構的SFGMOS實現量產,進入到新能源汽車驅動、電池保護及同步整流等應用領域。

        2016

        東微半導體的新能源汽車充電樁用核心功率器件芯片成功量產,并進入到充電樁核心芯片市場,被人民日報等主流媒體普遍報道。

        2014

        東微半導體開始量產國產化超級結系列高壓大功率MOSFET,成為國內工業級大功率系列高壓MOSFET的供應商。

        2013

        半浮柵器件技術論文在美國《科學》期刊上正式發表,并在8月9日被新聞聯播頭條長篇報道。團隊受到時任江蘇省省長李學勇、科技部副部長曹建林等領導接見。


        2012

        東微半導體制造出世界上首個半浮柵晶體管(Semi-Floating Gate Transistor),可用于新型存儲器,感光器件及功率器件等應用。

        2009

        東微半導體獲得蘇州工業園區領軍人才計劃項目支持。

        2008

        蘇州東微半導體有限公司在蘇州工業園區注冊成立,專注于原創半導體器件結構和工藝的創新和研發。

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